Auf der Lithografieeinheit legt die Aschungskammer das Wärmeprofil für die Entfernung des Photoresists fest. Schon eine Abweichung von einem halben Grad vom gesetzten Wert kann dazu führen, dass Rückstände zurückbleiben – oder schlimmer noch: dass die darunterliegenden Schichten beschädigt werden. Ein einziger defekter Wafer kann dazu führen, dass der gesamte Prozess fehlschlägt. Infrarotbeheizung sorgt dafür, dass das Wärmeprofil stets konstant bleibt.
Was technisch wichtig ist:
Wir nutzen Kurzwellen-Infrarotstrahler, um Wärme direkt in den Photoresist zu leiten – schnell, effektiv und vorhersehbar. Die Homogenität auf Waferebene liegt bei ±0,1 °C über die gesamte Prozesszeit hinweg. Die Strahler sind quartsfrei konstruiert, sodass keine Partikel entstehen – genau das, was für Reinräume der Klassen 1–100 erforderlich ist. Die Wiederholgenauigkeit liegt bei ≤0,2 % von Zyklus zu Zyklus – egal ob es sich um einen „Soft Bake“, einen „Hard Bake“ oder ein Ätzenprozess handelt.
Warum dies in der Produktion funktioniert:
In der Produktion muss die Aschung mit der Produktionsgeschwindigkeit mithalten, ohne dass es zu Ausschuss kommt. Eine strenge Wärmekontrolle ermöglicht es, die Zeit des Aschvorgangs zu verkürzen und den Energieverbrauch zu reduzieren. Das Ergebnis sind weniger Rückstände, eine geringere Defektdichte sowie eine konstante Kontrolle der Schichtdicke nach dem Ätzenprozess. Das System passt sich einfach in die vorhandenen Anlagen ein – ohne dass eine Überarbeitung der Wärmeübertragungsstrukturen notwendig ist. Dadurch kann die Prozesszeit verbessert werden, ohne dass zusätzliche Investitionen erforderlich sind.
Worauf man achten muss:
Die Infrarot-Aschung funktioniert nur dann gut, wenn das Licht ungehindert auf den Wafer trifft. Unterschiede in der Emittivität auf der Rückseite des Wafers oder in den Metallisierungsschichten können die Absorption beeinträchtigen. Wir passen die Größe der Strahler sowie das Spektrum an, damit die Absorption gleichmäßig ist. Dennoch muss die Aufbauweise der Kammer dafür sorgen, dass der Wafer einen klaren, ungehinderten Blick auf die Strahler hat. Es ist ratsam, zunächst einen kurzen Probelauf durchzuführen, um das optimale Profil zu finden – einmal festgelegt, bleibt der Prozess unter Kontrolle.