Wafer on Quartz IR Heating Experts

Wafers che asciugano rapidamente dopo il lavaggio _con lampada

Thu, 02 Jul 2026 08:36:24 +0800

Nella sala di produzione, la qualità del risciacquo dipende interamente dalla qualità del processo di essiccazione. Le macchie causate dall’acqua, le striature e l’umidità residua dopo il lavaggio influiscono negativamente sulla qualità del prodotto, soprattutto per dimensioni inferiori a 28 nm. I tradizionali strumenti di riscaldamento presentano dei limiti: si verifica un ritardo termico, e ogni volta che il dispositivo di fissaggio del wafer cambia temperatura, si creano delle particelle indesiderate.

Asciugatore per pulizia dei contenitori per wafer

Wed, 24 Jun 2026 04:03:25 +0800

Sul piano di lavorazione, il supporto su cui è posizionata la wafer, una volta uscito dal sistema di pulizia, non può trasportare umidità all’interno della stanza di litografia. I film residui e le tracce d’acqua non solo riducono la resa del processo, ma costringono anche a effettuare ulteriori operazioni di correzione, compromettendo così il bilancio termico necessario per la successiva fase di trattamento termico. Il dispositivo di essiccazione deve quindi garantire un livello di umidità costante, senza aggiungere particelle o sollecitare troppo termicamente il supporto su cui è posizionata la wafer.

Elemento riscaldante per ossidazione dei wafer

Mon, 22 Jun 2026 23:41:41 +0800

Nelle linee di produzione, le variazioni termiche durante l’ossidazione non si manifestano soltanto come dati numerici su un grafico: esse influiscono direttamente sulla qualità del prodotto finito. Un aumento di temperatura di 2°C può distorcere i valori di tensione critici, rovinando così settimane di lavoro preciso per ottimizzare i parametri di produzione. Abbiamo progettato gli elementi di riscaldamento per l’ossidazione dei wafer proprio per eliminare questo problema.

Cosa è importante dal punto di vista tecnico L’elemento è basato sul quarzo, emette radiazioni e può reagire rapidamente mantenendo al contempo una stabilità elevata. Si ottiene così un’omogeneità della temperatura di ±0,1°C su tutta la superficie del wafer; inoltre, la ripetibilità da ciclo a ciclo è inferiore a 0,2°C. È possibile scegliere tra profili di emissione a onde corte o medie, in base alle esigenze specifiche: tempi di riscaldamento rapidi per strati sottili, oppure tempi più lunghi per lo sviluppo di ossidi spessi.