Op de productielijn wordt een fout in de RTP-heater niet meteen zichtbaar. De gevolgen van deze fout zijn eerder te zien in ongelijkmatigheden tijdens het ‘soft bake’-proces, in wijzigingen in de dikte van de lijnen na de belichting, of in een etsherhouding die niet constant blijft. HetWafer vertoont dan tekenen van temperatuurongelijkheid. Het resultaat is dat het product onbruikbaar wordt – niet alleen door stilstand van de productielijn.
Wat technisch gezien belangrijk is, is een reproduceerbaar thermisch gedrag. We ontwerpen de heater zodat er een temperatuurhomogeniteit van ±0,1°C wordt behaald op het niveau van het Wafer. Ook moet de snelheid waarmee de temperatuur wordt geregeld voldoende hoog zijn, zodat de verwerkingstijd kort blijft. Halogeenbronnen leveren korte golflengten energie, waardoor het Wafer snel en efficiënt kan worden opgewarmd. Het kwartsmateriaal zorgt er bovendien voor dat de thermische massa laag blijft, terwijl de omgeving chemisch inert blijft. Het resultaat is dat het proces elke keer volgens het voorschrift verloopt – of het nu gaat om een ‘soft bake’ om de fotoresist te stabiliseren, of een ‘hard bake’ om het beeld vast te leggen voordat het wordt geëtst.
Bij lithografie is het belangrijk dat de temperatuur goed wordt geregeld. Als de heater de gewenste temperatuur niet kan behouden over het hele oppervlak van het Wafer, dan veranderen de cruciale afmetingen en kan de fotoresist beschadigen tijdens het reinigen en etsten. Deze heater werkt prima in schone kamers van klasse 1–100, zonder dat er zich颗粒en ophopen. Hierdoor blijft het aantal defecten laag. Een snelle temperatuurstijging zorgt voor minder energieverbruik, en de 24/7 betrouwbaarheid zorgt voor minder onverwachte stilstanden – zodat de productielijn continu kan werken.
De installatie is eenvoudig, maar de interface moet overeenkomen met die van uw kamer en controller. Zorg ervoor dat de spanning, type connector en montage toleranties overeenkomen – deze details zijn belangrijk. De heater presteert het beste wanneer de geometrie van de kamer en de gasstroom in balans zijn. Anders kan zelfs een precisiebron geen effect hebben op een ongelijkmatig Waferoppervlak. Stel het systeem in op basis van uw specifieke processueisen, en controleer het resultaat met een gekalibreerde thermocouple.