리소그래피 공정에서는 아싱 챔버가 포토레지스트를 제거하는 데 필요한 열조건을 결정합니다. 설정된 온도에서 0.5도만 벗어나도 잔여물이 남거나, 더 심한 경우 아래층에 손상이 생길 수 있습니다. 단 한 개의 웨이퍼만 문제가 되어도 전체 공정이 망가질 수 있습니다. 적외선 가열을 이용하면 원하는 열조건을 유지할 수 있습니다.
기술적으로 중요한 점들 단파 적외선 발진기를 사용하여 열을 포토레지스트 층에 직접 전달합니다. 이 방식은 빠르고, 직접적이며, 예측 가능합니다. 웨이퍼 전체에 걸쳐 온도의 편차는 ±0.1°C 이내입니다. 발진기의 구조는 석영을 사용하지 않아 입자 생성이 전혀 없으며, 이는 클린룸 클래스 1–100에 필요한 조건입니다. 반복성도 사이클마다 0.2% 이하의 오차로 유지됩니다. 이는 소프트 베이크, 하드 베이크, 에칭 공정 후에도 마찬가지입니다.
생산 환경에서의 장점 생산 과정에서 아싱 공정은 폐기물을 최소화하면서도 공정 속도를 유지해야 합니다. 정밀한 열제어를 통해 아싱 시간을 줄이고 에너지 소비도 줄일 수 있습니다. 그 결과 잔여물이 줄어들고 결함 밀도도 낮아지며, 에칭 후에도 웨이퍼의 너비가 일정하게 유지됩니다. 이 시스템은 기존의 공정과 오븐과도 호환되므로, 별도의 설비 투자 없이도 공정 속도를 높일 수 있습니다.
주의해야 할 점들 적외선 아싱은 직선상에서만 작동하기 때문에, 웨이퍼의 뒷면이나 금속 층 간의 투과율 차이로 인해 흡수율에 차이가 생길 수 있습니다. 따라서 발진기의 크기와 스펙트럼을 조절하여 이러한 문제를 해결해야 합니다. 하지만 챔버의 구조는 여전히 웨이퍼가 잘 보이도록 해야 합니다. 공정을 안정적으로 유지하려면 초기 설정 과정이 필요합니다. 일단 설정이 완료되면 공정은 계속해서 안정적으로 유지됩니다.