Trong quy trình sản xuất, khả năng làm khô Wafer sau khi rửa phụ thuộc rất nhiều vào chất lượng việc làm khô. Những vết nước, vết bẩn cùng độ ẩm còn sót lại sau quá trình rửa sẽ làm giảm chất lượng wafer – đặc biệt là ở kích thước dưới 28nm. Các bộ sấy thông thường sẽ gây ra hiện tượng trì hoãn trong việc làm nóng wafer; mỗi lần wafer được di chuyển lên xuống, nguy cơ tạo ra các hạt bụi cũng tăng lên.
Giải pháp tốt nhất là sử dụng máy sấy có độ hiệu quả cao để làm khô wafer ngay sau khi rửa.
Những yếu tố quan trọng
Chúng tôi sử dụng các thiết bị phát bức xạ hồng ngoại tần số thấp trong vỏ thủy tinh để tạo ra ánh sáng sấy. Phản ứng của thiết bị này rất nhanh, và bước sóng phát ra nằm ngay trong dải hấp thụ của nước. Độ đồng đều về nhiệt độ trên bề mặt wafer được duy trì ở mức ±0,1°C, điều này giúp bảo vệ chất lượng lớp phủ phản quang khi wafer được đưa vào các bước xử lý tiếp theo.
Việc duy trì môi trường sạch cấp độ 1–100 cũng trở nên dễ dàng hơn nhờ việc sử dụng vật liệu không chứa bụi trong khu vực sấy, cùng với hệ thống luồng khí ổn định. Hiệu suất hoạt động của thiết bị vẫn ổn định trong hơn 5.000 giờ, với sai số dưới 5%. Các thông số thiết lập cũng không cần điều chỉnh lại hàng ngày.
Lý do tại sao nó phù hợp cho quy trình sản xuất
Ngay sau khi rửa, thiết bị sấy có thể làm khô wafer 300mm trong vài giây, chứ không phải vài phút. Điều này giúp rút ngắn thời gian sản xuất và giúp kiểm soát chất lượng wafer tốt hơn. Độ ổn định về nhiệt độ giúp giảm thiểu sự biến đổi trong quá trình xử lý lớp phủ phản quang, từ đó giảm thiểu các khuyết tật liên quan đến sự thay đổi nhiệt độ.
Nguồn năng lượng tiêu thụ cũng giảm đi, vì thiết bị sấy sử dụng bức xạ hồng ngoại để làm nóng trực tiếp lớp phủ phản quang, thay vì làm nóng toàn bộ wafer. Do đó, số lần phải tái xử lý giảm đi, thời gian hoạt động ổn định, và chất lượng sản phẩm vẫn đạt tiêu chuẩn.
Những điều cần lưu ý khi lập kế hoạch
Thiết bị này có thể kết nối với hệ thống SECS/GEM để trao đổi thông tin với máy chủ, nhưng nó cần nguồn điện riêng và hệ thống thoát khí hiệu quả để duy trì nhiệt độ ổn định. Nên giữ khoảng cách 12 inch phía trên con đường di chuyển của wafer để đảm bảo luồng khí ổn định.
Quá trình lắp đặt khá nhanh, nhưng cần đảm bảo rằng tốc độ chuyển giao wafer từ bước rửa sang bước sấy phù hợp với tốc độ hoạt động của thiết bị sấy.